Центр сопряженного мониторинга окружающей среды и природных ресурсов
«Мониторинг. Наука и технологии» Рецензируемый и реферируемый научно-технический журнал
Меню раздела «МНТ»
ГЛАВНАЯ
цели и задачи
Перечень ВАК
ВЫПУСКИ
2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
выпуск №1
выпуск №2
выпуск №3
выпуск №4
статья #01
статья #02
статья #03
статья #04
статья #05
статья #06
статья #07
статья #08
статья #09
статья #10
статья #11
2013
2012
2011
2010
2009
все выпуски
АВТОРАМ
этика
порядок рецензирования
правила для авторов
ПОДПИСКА
О ЖУРНАЛЕ
главный редактор
редакционный совет
редакционная коллегия
документы
свидетельство
issn
ENG
Меню разделов
ГЛАВНАЯ
Раздел: «ЦЕНТР»
Раздел: «МНТ»
Раздел: «СБОРНИК»
Раздел: «MST»

Билалов Б.А., Кузнецов Г.Д., Кардашова Г.Д., Курбанов М.К., Харламов Н.А., Ахмедов А.С., Ахмедова М.М.
Моделирование параметров светодиодной гетероструктуры на основе твёрдых растворов (AlN)x(SiC)1-x
Modeling of led heterostructure parameters based on solid solutions (AlN)x(SiC)1-x
УДК:
621311592
Аннотация:
Рассматриваются возможности получения теоретических закономерностей по свойствам и параметрам светодиодных гетерокомпозиций на основе твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x. Приведены расчеты параметров межмолекулярного взаимодействия в системе (SiC)1-x(AlN)x, в зависимости от состава твердого раствора, предела растворимости примеси в твердом растворе при заданной температуре. Проведено компьютерное моделирование характеристик ультрафиолетовых светодиодов (УФИД) на основе гетероструктур (AlN)Х(SiC)1-Х с помощью программы SimWindows, применённой ранее в работе для моделирования AlGaInN светодиодов. Выявлены основные теоретические зависимости основных свойств УФИД от состава твердого раствора.
Ключевые
слова:
твердый раствор, гетероструктура, светодиод, параметры межмолекулярного взаимодействия
Abstracts:
The possibilities of theoretical regularities obtaining are considered on properties and parameters of the LED heterocompositions based on solid solutions (SiC)1-x(AlN)x. The calculations of intermolecular interaction parameters in the system of (SiC)1-x(AlN)x are given depending on composition of the solid solution and the limit of solubility of admixture in the solid solution at the indicated temperature. The computer modeling of ultraviolet LED characteristics (UVLED) is held based on heterostructures (AlN)Х(SiC)1-Х with using of SimWindows program earlier applied for modeling AlGaInN LEDs. The main theoretical dependences are indicated for the main UVLED properties on composition of the solid solution.
Keywords:
solid solution, heterostructures, LEDs, intermolecular interaction parameters

Текст статьи Текст статьи
0,9 МБ
Скачать

вернуться к списку статей

Авторы статьи:
БИЛАЛОВ
Билал Аругович
bil-bilal@yandex.ru
доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой микроэлектроники ДГТУ
КУЗНЕЦОВ
Геннадий Дмитриевич
доктор технических наук, профессор кафедры материалов электронной техники Национального исследовательского технологического университета «МИСиС», член-корреспондент РАЕН
КАРДАШОВА
Гюльнара Дарвиновна
gulya-ka11@yandex.ru
кандидат физико-математических наук, доцент кафедры экспериментальной физики ДГУ
КУРБАНОВ
Малик Курбанович
кандидат физико-математических наук, доцент кафедры экспериментальной физики ДГУ
ХАРЛАМОВ
Николай Александрович
аспирант кафедры материалов электронной техники Национального исследовательского технологического университета «МИСиС»
АХМЕДОВ
Абдулла Сагидович
аспирант кафедры микроэлектроники ДГТУ
АХМЕДОВА
Мадина Магомедовна
аспирант кафедры микроэлектроники ДГТУ
Список литературы:
1.
H Hirayama, «Quaternary InAlGaN-based high-efficiency ultraviolet light-emitting diodes» J.Appl.Phys, 2005.V 97. p.091-101.
2.
Aluminum Nitride Light Emitting Diodes with the Shortest Wavelength. - Nippon Telegraph and Telephone Corporation (NTT), http://www.ntt.co.jp.
3.
Евсеев В.А., Демченкова Д.Н. Определение параметров смещения компонентов в системе SiC-AlN с учетом распределения по подрешеткам растворителя. / Труды I международной казахстанско-российско-японской научной конференции и IV российско-японского семинара «Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов», Усть-Каменогорск, 2008, С. 598-601.
4.
Харламов Н.А., Кузнецов Г.Д., Сафаралиев Г.К., Евсеев В.А., Билалов Б.А Уточненная модель образования твердых растворов в системе SiC-AlN. / Материалы VI Международной научно-технической конференции Микро- и нанотехнологии в электронике, Нальчик 1?6 июня 2014 г., С. 326-329.
5.
Сушков В.П., Кузнецов Г.Д., Рабинович О.И. Микроэлектроника. Компьютерное моделирование параметров полупроводниковых компонентов микроэлектроники: Учеб.-метод. пособие. - М.: МИСиС, 2005. - 105 с.
6.
Сушков В.П., Кузнецов Г.Д., Харламов Н.А., Билалов Б.А. Основные параметры гетероструктуры ультрафиолетовых светодиодов на основе прямозонных твёрдых растворов в системе (AlN)Х(SiC)1-Х. Материалы IV Международной научно-технической конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике», Нальчик 2011, С. 128-129.
7.
Билалов Б.А., Гармаш В.М., Каргин Н.И., Кузнецов Г.Д., Ходос Ю.А., Сафаралиев Г.К., Симакин С.Б., Сушков В.П. Возвожность создания ультрафиолетовых светодиодов на основе растворов в системе (SiC)x(AlN)1-x c использованием вакуум-плазменных лучевых технологий / Материалы Всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи «Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника». Махачкала, 5-8- ноября 2009 г. С. 53-54.
 
МНТ Выпуски 2014 Выпуск №4 Статья #10
© ООО «ЦСМОСиПР», 2024
Все права защищены
  +7(926) 067-59-67
  +7(928) 962-32-60