621311592

Рассматриваются возможности получения теоретических закономерностей по свойствам и параметрам светодиодных гетерокомпозиций на основе твердых растворов (SiC)_1-x(AlN)_x. Приведены расчеты параметров межмолекулярного взаимодействия в системе (SiC)_1-x(AlN)_x, в зависимости от состава твердого раствора, предела растворимости примеси в твердом растворе при заданной температуре. Проведено компьютерное моделирование характеристик ультрафиолетовых светодиодов (УФИД) на основе гетероструктур (AlN)_Х(SiC)_1-Х с помощью программы SimWindows, применённой ранее в работе для моделирования AlGaInN светодиодов. Выявлены основные теоретические зависимости основных свойств УФИД от состава твердого раствора.

The possibilities of theoretical regularities obtaining are considered on properties and parameters of the LED heterocompositions based on solid solutions (SiC)_1-x(AlN)_x. The calculations of intermolecular interaction parameters in the system of (SiC)_1-x(AlN)_x are given depending on composition of the solid solution and the limit of solubility of admixture in the solid solution at the indicated temperature. The computer modeling of ultraviolet LED characteristics (UVLED) is held based on heterostructures (AlN)_Х(SiC)_1-Х with using of SimWindows program earlier applied for modeling AlGaInN LEDs. The main theoretical dependences are indicated for the main UVLED properties on composition of the solid solution.

доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой микроэлектроники ДГТУ

доктор технических наук, профессор кафедры материалов электронной техники Национального исследовательского технологического университета «МИСиС», член-корреспондент РАЕН

кандидат физико-математических наук, доцент кафедры экспериментальной физики ДГУ

кандидат физико-математических наук, доцент кафедры экспериментальной физики ДГУ

аспирант кафедры материалов электронной техники Национального исследовательского технологического университета «МИСиС»

аспирант кафедры микроэлектроники ДГТУ

аспирант кафедры микроэлектроники ДГТУ

H Hirayama, «Quaternary InAlGaN-based high-efficiency ultraviolet light-emitting diodes» J.Appl.Phys, 2005.V 97. p.091-101.

Aluminum Nitride Light Emitting Diodes with the Shortest Wavelength. - Nippon Telegraph and Telephone Corporation (NTT), http://www.ntt.co.jp.

Евсеев В.А., Демченкова Д.Н. Определение параметров смещения компонентов в системе SiC-AlN с учетом распределения по подрешеткам растворителя. / Труды I международной казахстанско-российско-японской научной конференции и IV российско-японского семинара «Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов», Усть-Каменогорск, 2008, С. 598-601.

Харламов Н.А., Кузнецов Г.Д., Сафаралиев Г.К., Евсеев В.А., Билалов Б.А Уточненная модель образования твердых растворов в системе SiC-AlN. / Материалы VI Международной научно-технической конференции Микро- и нанотехнологии в электронике, Нальчик 1?6 июня 2014 г., С. 326-329.

Сушков В.П., Кузнецов Г.Д., Рабинович О.И. Микроэлектроника. Компьютерное моделирование параметров полупроводниковых компонентов микроэлектроники: Учеб.-метод. пособие. - М.: МИСиС, 2005. - 105 с.

Сушков В.П., Кузнецов Г.Д., Харламов Н.А., Билалов Б.А. Основные параметры гетероструктуры ультрафиолетовых светодиодов на основе прямозонных твёрдых растворов в системе (AlN)Х(SiC)1-Х. Материалы IV Международной научно-технической конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике», Нальчик 2011, С. 128-129.

Билалов Б.А., Гармаш В.М., Каргин Н.И., Кузнецов Г.Д., Ходос Ю.А., Сафаралиев Г.К., Симакин С.Б., Сушков В.П. Возвожность создания ультрафиолетовых светодиодов на основе растворов в системе (SiC)x(AlN)1-x c использованием вакуум-плазменных лучевых технологий / Материалы Всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи «Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника». Махачкала, 5-8- ноября 2009 г. С. 53-54.