Ризаханов М.А.
Индуцированная примесная фотопроводимость СdS , обусловленная быстрыми электронными ловушками Ec-0.21 эВ и Ec-0.43 эВInduced impurity photoconductivity of CdS arising from the rapid electron traps Ec-0.21 eV and Ec-0.43 eV
| УДК: |
537.226÷621.315.592 |
| Аннотация: |
Описаны результаты исследования индуцированной примесной фотопроводимости кристаллов CdS<Ag> в среднем диапазоне инфракрасного света (λ=2-6 мкм), которая сохраняется на детекторно востребованном уровне вплоть до 350 К. Фотоэлектрически активные ловушки Ес-0.21 эВ и Ес-0.43 эВ, ответственные за фотопроводимость, принадлежат соответственно междоузельному донору Agi0 и компактному ассоциату, в состав которого наряду с донором Agi0 входит изоэлектронный акцептор А- (например, атом О в анионном узле). Ловушка Ес-0.43 эВ обладает оригинальным свойством: участвует в двух типах как оптических, так и термооптических переходов. |
Ключевые
слова: |
индуцированная фотопроводимость, электронная ловушка, донор, акцептор, квазиуровень Ферми |
| Abstracts: |
Induced impurity photoconductivity of the crystal CdS <Ag> is studied within midrange of infrared light (λ=2-6 mm), which is kept in the detector perceptible level up to 350 K. Photoelectric-active traps Eс-0.21 eV and Ес-0.43 eV responsible for photoconductivity, belong to the interstitial donor Agi0 and compact associate, containing an isoelectronic acceptor А- together with the donor Agi0 (for example, an O atom in the anionic node). The trap Ес-0.43 eV has an original property: it is involved in two types of both optical and thermo-optical transitions. |
| Keywords: |
induced photoconductivity, electron trap, donor, acceptor, quasi-Fermi level |
Авторы статьи:
РИЗАХАНОВ
Магомед Ахмедович
natriz12@mail.ru |
доктор физико-математических наук, профессор, ГБОУ ВПО Дагестанская Государственная медицинская академия |
Список литературы:
| 1. |
Ризаханов М.А., Эмиров Ю.Н., Габибов Ф.С., Хамидов М.М., Шейнкман М.К. Природа оранжевой люминесценции в кристаллах CdS . Физика и техника полупроводников. 1978. Т. 12. в.7. С.1342-1345. |
| 2. |
Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Фотостимулированные явления нетепловой диффузии и ассоциации доноров в кристаллах ZnSe . Письма в ЖТФ. 1985. Т.11. №9. С. 561-567. |
| 3. |
Зобов Е.М., Гарягдыев Г.Г., Ризаханов М.А. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdSe , обусловленные распределенными донор-акцепторными парами. Физика и техника полупроводников, 1987, т.21, в.9, с. 1637-1041. |
| 4. |
Агаев Я.Г., Гарягдыев Г.Г., Габибов Ф.С., Ризаханов М.А. Известия академии наук Туркменской ССР (сер. Физико-технических, химических и геологических наук). 1986. №4. С.77-79. |
| 5. |
Киреев П.С. Физика полупроводников, М. «Высшая школа». 1969. 590 с. |
| 6. |
Ризаханов М.А., Зобов Е.М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесного очувствленного CdS // Физика и техника полупроводников. 1980. т. 14. в. 12. С. 2407-2410. |
| 7. |
Ризаханов М.А., Зобов Е.М. «Способ изготовления детекторов ИК - света на основе селенида кадмия», Авт. свидет. Госкомитета СССР по делам изобретений и открытий. № 843652. 1981. |
| 8. |
Зобов Е.М., Ризаханов М.А., Инжекционное очувствление симметричных МПМ-структур на основе CdSе в среднем диапазоне ИК света // Физика и техника полупроводников. 1989. Т.23. в.7. С. 1291-1294. |
|
|
