Центр сопряженного мониторинга окружающей среды и природных ресурсов
«Мониторинг. Наука и технологии» Рецензируемый и реферируемый научно-технический журнал
Меню раздела «МНТ»
ГЛАВНАЯ
цели и задачи
Перечень ВАК
ВЫПУСКИ
2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
выпуск №1
выпуск №2
выпуск №3
выпуск №4
статья #01
статья #02
статья #03
статья #04
статья #05
статья #06
статья #07
статья #08
статья #09
статья #10
статья #11
статья #12
статья #13
статья #14
статья #15
статья #16
статья #17
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
все выпуски
АВТОРАМ
этика
порядок рецензирования
правила для авторов
ПОДПИСКА
О ЖУРНАЛЕ
главный редактор
редакционный совет
редакционная коллегия
документы
свидетельство
issn
ENG
Меню разделов
ГЛАВНАЯ
Раздел: «ЦЕНТР»
Раздел: «МНТ»
Раздел: «СБОРНИК»
Раздел: «MST»

Ризаханов М.А.
Индуцированная примесная фотопроводимость СdS, обусловленная быстрыми электронными ловушками Ec-0.21 эВ и Ec-0.43 эВ
Induced impurity photoconductivity of CdS arising from the rapid electron traps Ec-0.21 eV and Ec-0.43 eV
УДК:
537.226÷621.315.592
Аннотация:
Описаны результаты исследования индуцированной примесной фотопроводимости кристаллов CdS<Ag> в среднем диапазоне инфракрасного света (λ=2-6 мкм), которая сохраняется на детекторно востребованном уровне вплоть до 350 К. Фотоэлектрически активные ловушки Ес-0.21 эВ и Ес-0.43 эВ, ответственные за фотопроводимость, принадлежат соответственно междоузельному донору Agi0 и компактному ассоциату, в состав которого наряду с донором Agi0 входит изоэлектронный акцептор А- (например, атом О в анионном узле). Ловушка Ес-0.43 эВ обладает оригинальным свойством: участвует в двух типах как оптических, так и термооптических переходов.
Ключевые
слова:
индуцированная фотопроводимость, электронная ловушка, донор, акцептор, квазиуровень Ферми
Abstracts:
Induced impurity photoconductivity of the crystal CdS <Ag> is studied within midrange of infrared light (λ=2-6 mm), which is kept in the detector perceptible level up to 350 K. Photoelectric-active traps Eс-0.21 eV and Ес-0.43 eV responsible for photoconductivity, belong to the interstitial donor Agi0 and compact associate, containing an isoelectronic acceptor А- together with the donor Agi0 (for example, an O atom in the anionic node). The trap Ес-0.43 eV has an original property: it is involved in two types of both optical and thermo-optical transitions.
Keywords:
induced photoconductivity, electron trap, donor, acceptor, quasi-Fermi level

Текст статьи Текст статьи
401,6 кБ
Скачать

вернуться к списку статей

Авторы статьи:
РИЗАХАНОВ
Магомед Ахмедович
natriz12@mail.ru
доктор физико-математических наук, профессор, ГБОУ ВПО Дагестанская Государственная медицинская академия
Список литературы:
1.
Ризаханов М.А., Эмиров Ю.Н., Габибов Ф.С., Хамидов М.М., Шейнкман М.К. Природа оранжевой люминесценции в кристаллах CdS. Физика и техника полупроводников. 1978. Т. 12. в.7. С.1342-1345.
2.
Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Фотостимулированные явления нетепловой диффузии и ассоциации доноров в кристаллах ZnSe. Письма в ЖТФ. 1985. Т.11. №9. С. 561-567.
3.
Зобов Е.М., Гарягдыев Г.Г., Ризаханов М.А. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdSe, обусловленные распределенными донор-акцепторными парами. Физика и техника полупроводников, 1987, т.21, в.9, с. 1637-1041.
4.
Агаев Я.Г., Гарягдыев Г.Г., Габибов Ф.С., Ризаханов М.А. Известия академии наук Туркменской ССР (сер. Физико-технических, химических и геологических наук). 1986. №4. С.77-79.
5.
Киреев П.С. Физика полупроводников, М. «Высшая школа». 1969. 590 с.
6.
Ризаханов М.А., Зобов Е.М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесного очувствленного CdS // Физика и техника полупроводников. 1980. т. 14. в. 12. С. 2407-2410.
7.
Ризаханов М.А., Зобов Е.М. «Способ изготовления детекторов ИК - света на основе селенида кадмия», Авт. свидет. Госкомитета СССР по делам изобретений и открытий. № 843652. 1981.
8.
Зобов Е.М., Ризаханов М.А., Инжекционное очувствление симметричных МПМ-структур на основе CdSе в среднем диапазоне ИК света // Физика и техника полупроводников. 1989. Т.23. в.7. С. 1291-1294.
 
МНТ Выпуски 2016 Выпуск №4 Статья #13
© ООО «ЦСМОСиПР», 2024
Все права защищены
  +7(926) 067-59-67
  +7(928) 962-32-60