621.315.592

Исследовано влияние уровня собственного фотовозбуждения и режима охлаждения на спектры фотопроводимости при Т=90К в структурах на основе полуизолирующего GaAs с эпитаксиально наращенными слоями GaAs(S) (n=7x10¹⁵ см^-3) (типа-I) и GaAs (N_A=4x10¹⁵, N_D=7x10¹⁵ см^-3) (типа-II). Показано, что комбинированное фотовозбуждение приводит к очувствлению образцов (типа I) в области h?<0,76 эВ спектра фотопроводимости, обусловленное генерацией изолированных и участвующих в донорно-акцепторных парах донорных центров (Д⁰) вакансий V_As. Установлено, что рост фотопроводимости в этой области с ростом уровня возбуждения связан в основном с эффектом накопления возбужденных пар (Д⁰-А⁰)^0*. Выявлено, что изменение низкотемпературной граничной температуры Т_гр интервалов экспозиции образцов GaAs (типа II) интегральным светом в процессе охлаждения до Т=90К приводит к последовательному изменению фоточувствительности по спектру. Предполагается, что наблюдаемый характер изменения U_фп~f(Т_гр) связан с проявлением особенностей EL2 центров в условиях термооптического возбуждения исследуемых образцов.

There is investigated an influence of stationery intrinsic photoexcitation level and cooling regime on the photoconductivity spectra at T=90 K in structures based on semiinsulating GaAs with epitaxially growth layers GaAs(S) (n=7x10¹⁵ cm^-3) (I-type) and GaAs (N_A=4x10¹⁵ cm^-3, N_D=7x10¹⁵ cm^-3) (II-type). A combined photoexcitation is shown to lead activation of I type samples in a region of h?<0.76 eV of photoconductivity spectrum caused by generation of vacancies VAs isolated and participating in donor-acceptor pairs of donor centers (D⁰). A rise of the photoconductivity in this region with increasing of the excitation level is established to be connected with the accumulation effect of excited pairs (D⁰-A⁰)^0*. A variation of the low-temperature boundary temperature T_гр of GaAs (II-type) exposition intervals by the integral light during a cooling up to T=90K to lead to successive change of spectrum photosusceptibility. Probably the change of U_фп~f(T_гр) is connected with display of EL2 centers peculiarities under conditions of thermooptical samples excitation.

старший научный сотрудник Института физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН

доктор физико-математических наук, главный ученый секретарь Дагестанского научного центра РАН

Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводника. Перевод с англ. Г. С. Пекаря под ред. М. К. Шейнкмана. ? М.: Мир, 1977. 562 с.

Мастеров В. Ф., Саморуков Б. Глубокие центры в соединениях А3В5. // ФТП. 1978. Т.12. № 4. С.625?652.

Гасанов Л. Г., Лаурс Е. П., Лисица М. П., Моцный Ф. В. Фотолюминесценция и ее исследование в полупроводниковом приборостроении.- Киев : АН УССР, 1987. 70 с.

Рывкин С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. ? М.: Изд. физ-мат. лит-ра. 1963. 494 с.

Вертопрахов В. И., Сальман Е. Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. ? Новосибирск: Наука. 1979. 332 с.

Лашкарев В. Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. ?Киев: Наук. думка, 1982. 364 с.

Физика соединений А2В6. / Под ред. А. Н. Георгобиани и М. К. Шейнкмана. ? М.: Наука, 1986. 320 с.

Сыноров В. Ф., Сысоев Б. И., Линник В. Д. Релаксационные методы исследования энергетического спектра локализованных состояний в полупроводниках./ ?Воронеж: ВГУ, 1982. ?180 с.

Ризаханов М. А., Габибов Ф. C. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS. // ФТП. 1979. Т.13. В.7. С.1324.

Габибов Ф.С., Ризаханов М. А. Обратимые допороговые фототермические преобразования центров прилиания электронов в CdS:Ag. // Известия АН СССР. Серия физическая. 1985. Т. 49. № 4. С.801?805.

Эмиров Ю.Н., Габибов Ф. С. Фотостимулированная генерация доноров в кристаллах CdS. // Неорг. материалы. 1992. Т.28. № 12. С.2361?2364.

Ризаханов М. А., Хамидов М.М. Фотостимулированные явления нетепловой диффузиии ассоциации доноров в кристаллах Zn. // Письма в ЖТФ. 1985. Т.11. Вып.9. С.561?567.

Hoon Young Cho, Eun Kyu Kim, and Suk-Ki Min. Photoquenching effect and thermal recovery process for midgap levels in GaAs: An EL2 family in GaAs.// Phys. Rev.B. 1989. V.39. № 14. P.10376-10379.

Георгобиани А. Н., Тигиняну И. М. Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIВV. // ФТП. 1988. Т.22. Вып.1. С.3?15.

Баграев Н. Т. EL2-центр в GaAs: Симметрия и метастабильность. // ЖЭТФ. Т. 100. Вып. 4(10). С.1378?1391.

Manasreh M. O., Fischer D. W., Mitchel W. C. The EL2 Defect in GaAs: Some Recent Developments. // Phys. Stat. Sol. (b). 1989. V.154. 11. P.11-41.

Vicent G., Bois D., Chantre A. Photoelectric memory effect in GaAs. // J. Appl. Phys. 1982. V.53, №5. P 3643- 3649.

Пека Г. П., Бродовой В.А., Мишова М. И., Мирец Л. З. Фотоэлектрическая память в арсениде галлия, компенсированного кислородом. // ФТП. 1978. Т.12. №5. С.915

Jimenez J., Hernandez P., De Soja J. A. Optical quenching of the near-intrinsic in semi- insulating bulk GaAs. // J. Appl. Phys. 1985. V.57.(12), 15. P. 5290-5294.

Wagner J., Van Vechten J. A. Atomic model of the EL2 defect in GaAs.// Phys. Rev.B. 1987. V.35. P. 1330?1339.

Габибов Ф. С., Бабаев А. А., Габибов С. Ф. Влияние перехода центров EL2 в метастабильное состояние на распределение стационарных спектров фотопроводимости в GaAs. // Оптика, оптоэлектроника и технологии. Труды междунар. конфер.-Ульяновск: Из-во УлГУ. 2001. С.125.