Центр сопряженного мониторинга окружающей среды и природных ресурсов
«Мониторинг. Наука и технологии» Рецензируемый и реферируемый научно-технический журнал
Меню раздела «МНТ»
ГЛАВНАЯ
Перечень ВАК
ВЫПУСКИ
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
выпуск №1
выпуск №2
статья #01
статья #02
статья #03
статья #04
статья #05
статья #06
статья #07
статья #08
статья #09
статья #10
статья #11
статья #12
выпуск №3
выпуск №4
2011
2010
2009
все выпуски
АВТОРАМ
правила для авторов
порядок рецензирования
review procedure
ПОДПИСКА
subscription
О ЖУРНАЛЕ
about
главный редактор
редакционный совет
документы
свидетельство
issn
Меню разделов
ГЛАВНАЯ
Раздел: «ЦЕНТР»
Раздел: «МНТ»

Исмаилов Т.А., Саркаров Т.Э., Шангереева Б.А.
Получение защитных пленок в производстве изготовления полупроводниковых приборов
Production of protective films for semiconductors manufacturing
УДК:
621.382.002
Аннотация:
В статье рассматриваются способы получения тонких защитных пленок для формирования элементов коммутации, резисторов, конденсаторов и контактных площадок. Сущность технологии получения пленки окиси ниобия (Nb2O5) заключается в том, что на поверхности подложки формируют тонкопленочный диэлектрик окиси ниобия при температурах 140-300 ?С осаждением из газовой фазы за счет реакции между пентахлоридом ниобия (NbCl5), кислородом O2 и закисью азота (NO).
Ключевые
слова:
пленки, диэлектрик, осаждение, температура, газовая фаза, ниобий, окись, азот, пентахлорид, резистор, конденсатор, давление
Abstracts:
Ways of obtaining the thin protective films for formation of elements of switching, resistors, condensers and bonding contact pads are considered. The essence of technology of film production from niobium oxide (Nb2O5) is that superficially substrates form thin-film insulator of niobium oxide at temperatures 140-300 ?C with sedimentation from gas phase through reaction between niobium pentachloride (NbСl5), oxygen O2 and nitrogen protoxide (NO).
Keywords:
film, insulator, sedimentation, temperature, gas phase, niobium, oxide, nitrogen, pentachloride, resistor, condenser, pressure

Текст статьи Текст статьи
851,8 кБ
Скачать

вернуться к списку статей

Авторы статьи:
ИСМАИЛОВ
Тагир Абдурашидович
доктор технических наук, профессор, ректор Дагестанского государственного технического университета академик Международной Академии Холода Российской Федерации, академик Международной Нью-Йоркской Академии наук, академик Международной Академии Информатизации
САРКАРОВ
Таджидин Экберович
доктор технических наук, профессор Дагестанского государственного технического университета, декан ФИС
ШАНГЕРЕЕВА
Бийке Алиевна
кандидат технических наук, старший преподаватель кафедры «Теоретической и общей электротехники» Дагестанского государственного технического университета
Список литературы:
1.
Научно-технический журнал «Электроника: Наука, Технология, Бизнес». РИЦ Техносфера. 2007. №2 С. 120.
2.
Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микро-процессоров. М.: «Радио связь». 1987. C.464.
3.
Киреев В.А. Курс физической химии. М.: «Химия» 1975. С.620.
4.
Карапетьянц М.Х., Карапетьянц М.Л. Основные термодинамические константы неорганических и органических веществ. М.: «Химия» 1975. С.469.
5.
Карапетьянц М.Х. Химическая термодинамика. М.: «Химия» 1975. С.463.
 
МНТ Выпуски 2012 Выпуск №2 Статья #09
© ООО «ЦСМОСиПР», 2018
Все права защищены
Яндекс.Метрика
  +7(926) 067-59-67
  +7(963) 406-99-55