Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш., Эфендиева Т.Н.
Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
Experimental determination of baric coefficient of the edge of conduction band for gallium arsenide
| УДК: |
621.315.52 |
| Аннотация: |
Исследована вольтамперная характеристика гетероструктуры n-GaAs-p-Ge при гидростатическом давлении до 8 ГПа при комнатной температуре. По результатам экспериментальных данных найдено, что барический коэффициент дна зоны проводимости арсенида галлия равен 120 мэВ/ГПа. |
Ключевые
слова: |
гидростатическое давление, барический коэффициент края зоны, гетероструктура, контактный потенциал |
| Abstracts: |
The voltage-current characteristic of n-GaAs-p-Ge heterostructure is researched at the hydrostatic pressure up to 8 GP at room temperatures. According to the experimental data it is detected the baric coefficient of GaAs conduction band bottom is 120 meV/GPa. |
| Keywords: |
hydrostatic pressure, baric coefficient of the band edge, heterostructur, contact potential |
Авторы статьи:
ГАДЖИАЛИЕВ
Магомед Магомедович |
доктор физико-математических наук, заведующий лабораторией «Физики полупроводников» Института физики ДНЦ РАН |
ПИРМАГОМЕДОВ
Зияутдин Шахмурадович |
научный сотрудник лаборатории «Физики полупроводников» Института физики ДНЦ РАН |
ЭФЕНДИЕВА
Татьяна Насировна |
научный сотрудник лаборатории «Физики полупроводников» Института физики ДНЦ РАН |
Список литературы:
| 1. |
Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Е.Л. Портной и Д.Н. Третьяков. ФТП, 4 (1), 167, (1970). |
| 2. |
Y. Kanda. Physics letters, 14,289 ( 1965). |
| 3. |
R.L. Anderson. Solid - State Electron, 5, 341 (1962). |
| 4. |
М.М. Гаджиалиев, З.Ш. Пирмагомедов, Т.Н. Эфендиева. ФТП, 44, 1222, (2010). |
| 5. |
М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТТ, 46, 1766, (2004). |
|
|
