Центр сопряженного мониторинга окружающей среды и природных ресурсов
«Мониторинг. Наука и технологии» Рецензируемый и реферируемый научно-технический журнал
Меню раздела «МНТ»
ГЛАВНАЯ
Перечень ВАК
ВЫПУСКИ
2018
2017
2016
2015
2014
выпуск №1
статья #01
статья #02
статья #03
статья #04
статья #05
статья #06
статья #07
статья #08
статья #09
статья #10
статья #11
статья #12
статья #13
статья #14
статья #15
выпуск №2
выпуск №3
выпуск №4
2013
2012
2011
2010
2009
все выпуски
АВТОРАМ
правила для авторов
порядок рецензирования
review procedure
ПОДПИСКА
subscription
О ЖУРНАЛЕ
about
главный редактор
редакционный совет
документы
свидетельство
issn
Меню разделов
ГЛАВНАЯ
Раздел: «ЦЕНТР»
Раздел: «МНТ»

Билалов Б.А., Гитикчиев М.А., Кардашова Г.Д., Даллаева Д.С., Ахмедов А.С., Махмудов Р.Г.
Применение ВЧ реактора для активирования азота при формировании структур Al2O3/AlN
Application of HF reactor for nitrogen activation when forming structures of Al2O3/AlN
УДК:
621.315.592
Аннотация:
Рассматривается возможность получения низкотемпературным ионно-плазменным методом наноразмерных слоёв нитрида алюминия (AlN) на подложках из сапфира (Al2O3) с применением ВЧ реактора для активации молекулярного азота. Приведены результаты исследования морфологии полученной поверхности и элементного состава пленок AlN на сапфире.
Ключевые
слова:
нитрид алюминия, сапфир, азот, магнетронное распыление, высокочастотный разряд, подложка, имплантация
Abstracts:
We consider the possibility of obtaining nanoscale layers of aluminum nitride (AlN) on substrates from sapphire (Al2O3) by low-temperature ion-plasma method with application of RF reactor for activation of molecular nitrogen. The results of investigations of the obtained surface morphology and elemental composition of AlN films on sapphire are given.
Keywords:
aluminum nitride, sapphire, nitrogen, magnetron sputtering, high-frequency discharge, substrate, implantation

Текст статьи Текст статьи
542,6 кБ
Скачать

вернуться к списку статей

Авторы статьи:
БИЛАЛОВ
Билал Аругович
bil-bilal@yandex.ru
доктор физико-математических наук, профессор кафедры микроэлектроники ДГТУ
ГИТИКЧИЕВ
Магомед Ахмедович
старший научный сотрудник НИИ «Микроэлектроники и нанотехнологий» ДГТУ
КАРДАШОВА
Гюльнара Дарвиновна
кандидат физико-математических наук, доцент кафедры экспериментальной физики ДГУ
ДАЛЛАЕВА
Динара Султановна
младший научный сотрудник НИИ «Микроэлектроники и нанотехнологий» ДГТУ
АХМЕДОВ
Абдулла Сагидович
студент 5 курса факультета РтиМТ ДГТУ
МАХМУДОВ
Руслан Гаджимагомедович
аспирант ДГТУ
Список литературы:
1.
Н.С.Заяц, В.Г.Бойко, П.А.Генцарь, О.С.Литвин, В.П.Папуша, Н.В.Сопинский. ФТП 42 (2), (2008).
2.
Б.А.Билалов, Г.К.Сафаралиев, М.А.Гитикчиев, А.А.Гаджиев. Межвуз. Сборник научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника» (Воронеж , Россия, 2008), вып. 7, C. 10.
3.
J.A.Taylor, J.W.Rabalais, J.Chem. Phys. 75, 1735 (1981).
4.
A.K.Dua, V.C.George, R.P.Agarwala. Thin Solid Films 165, 163 (1988).
5.
J.C.Klein, D.M.Hercules, J.Catal. 82, 424 (1983).
6.
V.Diсastro, G.Polzonetti, G.Contini, C.Cozza, B.Paponetti. Surf. Interface Anal. 16, 571 (1990).
 
МНТ Выпуски 2014 Выпуск №1 Статья #07
© ООО «ЦСМОСиПР», 2018
Все права защищены
Яндекс.Метрика
  +7(926) 067-59-67
  +7(963) 406-99-55