Билалов Б.А., Гитикчиев М.А., Кардашова Г.Д., Даллаева Д.С., Ахмедов А.С., Махмудов Р.Г.
Применение ВЧ реактора для активирования азота при формировании структур Al2O3/AlN
Application of HF reactor for nitrogen activation when forming structures of Al2O3/AlN
| УДК: |
621.315.592 |
| Аннотация: |
Рассматривается возможность получения низкотемпературным ионно-плазменным методом наноразмерных слоёв нитрида алюминия (AlN) на подложках из сапфира (Al2O3) с применением ВЧ реактора для активации молекулярного азота. Приведены результаты исследования морфологии полученной поверхности и элементного состава пленок AlN на сапфире. |
Ключевые
слова: |
нитрид алюминия, сапфир, азот, магнетронное распыление, высокочастотный разряд, подложка, имплантация |
| Abstracts: |
We consider the possibility of obtaining nanoscale layers of aluminum nitride (AlN) on substrates from sapphire (Al2O3) by low-temperature ion-plasma method with application of RF reactor for activation of molecular nitrogen. The results of investigations of the obtained surface morphology and elemental composition of AlN films on sapphire are given. |
| Keywords: |
aluminum nitride, sapphire, nitrogen, magnetron sputtering, high-frequency discharge, substrate, implantation |
Авторы статьи:
БИЛАЛОВ
Билал Аругович
bil-bilal@yandex.ru |
доктор физико-математических наук, профессор кафедры микроэлектроники ДГТУ |
ГИТИКЧИЕВ
Магомед Ахмедович |
старший научный сотрудник НИИ «Микроэлектроники и нанотехнологий» ДГТУ |
КАРДАШОВА
Гюльнара Дарвиновна
gulya-ka11@yandex.ru |
кандидат физико-математических наук, доцент кафедры экспериментальной физики ДГУ |
ДАЛЛАЕВА
Динара Султановна |
младший научный сотрудник НИИ «Микроэлектроники и нанотехнологий» ДГТУ |
АХМЕДОВ
Абдулла Сагидович |
студент 5 курса факультета РтиМТ ДГТУ |
МАХМУДОВ
Руслан Гаджимагомедович |
аспирант ДГТУ |
Список литературы:
| 1. |
Н.С.Заяц, В.Г.Бойко, П.А.Генцарь, О.С.Литвин, В.П.Папуша, Н.В.Сопинский. ФТП 42 (2), (2008). |
| 2. |
Б.А.Билалов, Г.К.Сафаралиев, М.А.Гитикчиев, А.А.Гаджиев. Межвуз. Сборник научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника» (Воронеж , Россия, 2008), вып. 7, C. 10. |
| 3. |
J.A.Taylor, J.W.Rabalais, J.Chem. Phys. 75, 1735 (1981). |
| 4. |
A.K.Dua, V.C.George, R.P.Agarwala. Thin Solid Films 165, 163 (1988). |
| 5. |
J.C.Klein, D.M.Hercules, J.Catal. 82, 424 (1983). |
| 6. |
V.Diсastro, G.Polzonetti, G.Contini, C.Cozza, B.Paponetti. Surf. Interface Anal. 16, 571 (1990). |
|
|
