Ризаханов М.А., Атлуханова Л.Б., Гаджикурбанов Г.Г.
Колебания на стадии послевспышечного спада индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах ZnSe Fluctuations at the stage of postflare recession of the induced impurity photoconductivity in crystals of ZnSe
| УДК: |
537.226? 621.315.592 |
| Аннотация: |
В кристаллах ZnSe<Ag> обнаружен новый тип релаксации индуцированной примесной фотопроводимости (ИПФ). Специфическая особенность релаксации в том, что ИПФ на стадии послевспышечного монотонного спада испытывает колебания низкой частоты ( ν=0.03-0.3 Гц). Неустойчивость, накладываемая на типичные кривые кинетики, объяснена в предположении о существовании в ZnSe<Ag>, наряду с электронной ловушкой Ес- 0.4 эВ, непосредственно ответственной за ИПФ, двухзарядного акцептора с уровнем вблизи с-зоны и локализованной в области макронеоднородностей в паре с r-центром рекомбинации. Колебания ИПФ являются результатом вариации сечения захвата электрона двухзарядной ловушки под влиянием локальных полей, разгорающихся в ходе рекомбинационно активных процессов. |
Ключевые
слова: |
индуцированная примесная фотопроводимость, оптически активная ловушка, фотоионизация, макронеоднородности |
| Abstracts: |
In crystals of ZnSe<Ag> the new type of a relaxation of the induced impurity photoconductivity (IIP) is found. Specific feature of a relaxation that IIP at a stage of postflare monotonous recession has hesitations of low frequency (ν = 0.03-0.3 Hz). The instability imposed on typical curves of kinetics is explained in the assumption of existence in ZnSe<Аg>, along with an electronic trap of the Ес- 0.4 эV, directly responsible for IIP, a two-charging acceptor with level close with c-zone and the recombination localized in the field of macroinhomogeneities together with the r-center. Fluctuations of IIP are result of a variation of section of capture of an electron of a two-charging trap under the influence of local fields, the the activated during rekombinatsionno active processes. |
| Keywords: |
the induced impurity photoconductivity, optically an active trap, photoionization, macroinhomogeneities |
Авторы статьи:
РИЗАХАНОВ
Магомед Ахмедович
natriz12@mail.ru |
доктор физико-математических наук, профессор, ГБОУ ВПО Дагестанская государственная медицинская академия |
АТЛУХАНОВА
Луиза Бремовна
bremovna77@mail.ru |
кандидат педагогических наук, доцент, ГБОУ ВПО Дагестанская государственная медицинская академия |
ГАДЖИКУРБАНОВ
Гаджикурбан Гаджиибрагимович |
инженер-программист, Дагестанская государственная медицинская академия |
Список литературы:
| 1. |
Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках, М., ГИФМЛ, 1963, 273с. |
| 2. |
Ризаханов М.А., Зобов Е.М. Регулирование примесным светом тока в кристаллах CdSe в области отрицательного дифференциала сопротивления // Физика и техника полупроводников, 1979, т.13, №5, с. 998-1000. |
| 3. |
Ризаханов М.А., Зобов Е.М. N-образное нарастание и колебания примесного фототока в кристаллах CdSe // Физика и техника полупроводников. 1979, том 13, №1, 2030-2032. |
| 4. |
Девлин С.С. Свойства переноса. (в кн. Физика и химия соединений А ВII, пер. с англ. под ред. С.А. Медведева), М., «Мир», 1970, с.417-464. |
| 5. |
Зобов Е.М., Зобов М.Е., Ризаханов М.А. Термическая ионизация электрической ловушки в люминофоре Zn0.97Cd0.03 S (Cu, Cl), облегченная электромодуляцией ее эффективного сечения захвата // Письма в ЖТФ. 2012, т. 38, №1, 86-93. |
|
|
