Тарасова Т.А.
Особенности взаимодействия носителей зарядов в гетероструктурах
Features of interaction of the charge carriers in heterostructures
| УДК: |
538.9 |
| Аннотация: |
В статье рассмотрен принципиально новый подход к получению гетероперехода на основе монооксида европия EuO1.06 и монооксида щелочноземельного элемента Sr0.94O0.06, расширяющих класс материалов, применяемых для формирования гетероструктур.
Поставленная цель достигается: 1) выбором компонентов гетероструктуры с хорошим согласованием параметров кристаллических решеток; 2) формированием границы гетероперехода путем «скола» кристалла монооксида европия по «кислородной» плоскости (111) и хемосорбцией атомов стронция на полученную поверхность, при этом кислород является общим элементом гетероконтакта, 3) легированием компонентов гетероперехода Sr-EuO кислородом. Предлагаемая модель дает определенные преимущества (экономические и экологические) по сравнению с гетеропереходами на основе арсенида-галия. |
Ключевые
слова: |
гетеропереход, монооксид, носители заряда гетерограницы |
| Abstracts: |
The article briefly describes the preparation of europium monoxide EuO1.06 monoxide and alkaline earth element Sr0.94O0.06 extending a class of the materials used for the formation of heterostructures.
The goal is achieved: 1) select the component heterostructures with good agreement of lattice parameters; 2) the formation of the boundary of the heterojunction by «cleavage» of a crystal of europium monoxide on «oxygen» (111) plane and the chemisorption of strontium atoms on the surface, while oxygen is a common element of heterocontact, 3) the alloying components of the heterojunction Sr-EuO with oxygen. |
| Keywords: |
heterojunction, monoxide, charge carriers |
Авторы статьи:
ТАРАСОВА
Татьяна Александровна
tatiyana.tarasova@ya.ru |
доцент кафедры математики и информатики ФГБОУ ВО «Кубанский государственный университет» (филиал в г. Армавире) |
Список литературы:
| 1. |
Тарасова Т.А. Зависимость свойств гетероперехода на основе двух оксидов Sr1-xOx и EuO1+x от физических факторов / Теория и практика современной науки. Материалы XII Международной научно-практической конференции, Том 1, г. Москва, 29-30 декабря 2013г. / Науч. инф. издат. центр «Институт стратегических исследований». Москва: Изд-во «Спецкнига», 2013. с. 44-48. |
| 2. |
Тарасова Т.А. Особенности магнитного полупроводника EuO // Вестник Северо-Кавказского федерального университета. №2(47). 2015. с. 76-81. |
| 3. |
Александров С.Е. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n- GaxIn1-x/p-Si // ФТП, 1998. Т. 32. Вып. 4. С. 497. |
| 4. |
Бердышев А.А. Введение в квантовую теорию магнетизма. Свердловск: Изд-воУрал.ун-та, ч. 1, 1969, ч. 2, 1969, ч. 3, 1970, ч. 4, 1971. |
|
|
