Центр сопряженного мониторинга окружающей среды и природных ресурсов
«Мониторинг. Наука и технологии» Рецензируемый и реферируемый научно-технический журнал
Меню раздела «МНТ»
ГЛАВНАЯ
Перечень ВАК
ВЫПУСКИ
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
выпуск №1
выпуск №2
выпуск №3
статья #01
статья #02
статья #03
статья #04
статья #05
статья #06
статья #07
статья #08
статья #09
статья #10
статья #11
статья #12
выпуск №4
2010
2009
все выпуски
АВТОРАМ
правила для авторов
порядок рецензирования
review procedure
ПОДПИСКА
subscription
О ЖУРНАЛЕ
about
главный редактор
редакционный совет
документы
свидетельство
issn
Меню разделов
ГЛАВНАЯ
Раздел: «ЦЕНТР»
Раздел: «МНТ»

Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш., Эфендиева Т.Н.
Термоэдс при большом градиенте температуры
Termal E.M.F. at the large temperature gradient
УДК:
УДК 621.315.52
Аннотация:
В работе исследована термоэдс полупроводников (электронного и дырочного германия) при большом градиенте температуры до 1.5·103 К·см-1. Установлено, что термоэдс Бенедикса возникает не только при диффузии неосновных носителей тока от горячей области кристаллической решетки к холодной области, но и за счет диффузии разогретых тепловым полем носителей тока.
Ключевые
слова:
диффузия неосновных носителей, тепловая эмиссия, фононное увлечение
Abstracts:
In this work thermal e.m.f. of n-Ge and p-Ge is investigated in the presence of large gradient of temperature up to 1.5·103 К·см-1. It is established, that thermal Benedix e.m.f. arises not only due to diffusion of minority carries from hot area to cold area of a crystalline lattice, but also due to diffusion of current carriers warmed up by a thermal field.
Keywords:
minority carries diffusion, thermal emission, phonon drag

Текст статьи Текст статьи
415,7 кБ
Скачать

вернуться к списку статей

Авторы статьи:
ГАДЖИАЛИЕВ
Магомед Магомедович
доктор физико-математических наук, заведующий Лабораторией Института физики ДНЦ РАН
ПИРМАГОМЕДОВ
Зияутдин Шахмурадович
научный сотрудник Института физики ДНЦ РАН
ЭФЕНДИЕВА
Татьяна Насировна
научный сотрудник Института физики ДНЦ РАН
Список литературы:
1.
Булат Л.П. Влияние градиента температуры на функцию распределения электронов в полупроводниках // ФТП. 1977. Т.11. С.2181- 2186.
2.
Я. Тауц. Фото-и термоэлектрические явления в полупроводниках. - М. ИЛ. 1962. С.253.
3.
Булат Л.П., Ладыка Р.Б. Неоднозначная зависимость термоэлектрического поля от градиента температуры ФТП. 1982. Т. 24. С.1221-1223.
4.
Алиев К.М., Гаджиалиев М.М., Камилов И.К. Явление переноса в германии в условиях большого градиента температуры // Вестник ДНЦ РАН. 1999. 3. С.15-18.
5.
Смит F. Полупроводники. М.: ИЛ.. 1982. С.467.
6.
Анатычук Л.И., Булат Л.П., Комалов Е.Н. Термоэдс Бенедикса в электронном германии //ФТП. 1982. Т.16. С.1711-1713.
7.
Гаджиалиев М.М. Явление Бенедикса в электронно-дырочной плазме германия //В кн.: Плазма в полупроводниках. Махачкала. 1984. С.21-25.
 
МНТ Выпуски 2011 Выпуск №3 Статья #08
© ООО «ЦСМОСиПР», 2018
Все права защищены
Яндекс.Метрика
  +7(926) 067-59-67
  +7(963) 406-99-55