УДК 621.315.52

В работе исследована термоэдс полупроводников (электронного и дырочного германия) при большом градиенте температуры до 1.5·10³ К·см^-1. Установлено, что термоэдс Бенедикса возникает не только при диффузии неосновных носителей тока от горячей области кристаллической решетки к холодной области, но и за счет диффузии разогретых тепловым полем носителей тока.

In this work thermal e.m.f. of n-Ge and p-Ge is investigated in the presence of large gradient of temperature up to 1.5·103 К·см^-1. It is established, that thermal Benedix e.m.f. arises not only due to diffusion of minority carries from hot area to cold area of a crystalline lattice, but also due to diffusion of current carriers warmed up by a thermal field.

доктор физико-математических наук, заведующий Лабораторией Института физики ДНЦ РАН

научный сотрудник Института физики ДНЦ РАН

научный сотрудник Института физики ДНЦ РАН

Булат Л.П. Влияние градиента температуры на функцию распределения электронов в полупроводниках // ФТП. 1977. Т.11. С.2181- 2186.

Я. Тауц. Фото-и термоэлектрические явления в полупроводниках. - М. ИЛ. 1962. С.253.

Булат Л.П., Ладыка Р.Б. Неоднозначная зависимость термоэлектрического поля от градиента температуры ФТП. 1982. Т. 24. С.1221-1223.

Алиев К.М., Гаджиалиев М.М., Камилов И.К. Явление переноса в германии в условиях большого градиента температуры // Вестник ДНЦ РАН. 1999. 3. С.15-18.

Смит F. Полупроводники. М.: ИЛ.. 1982. С.467.

Анатычук Л.И., Булат Л.П., Комалов Е.Н. Термоэдс Бенедикса в электронном германии //ФТП. 1982. Т.16. С.1711-1713.

Гаджиалиев М.М. Явление Бенедикса в электронно-дырочной плазме германия //В кн.: Плазма в полупроводниках. Махачкала. 1984. С.21-25.