Зобов Е.М., Зобов М.Е., Ризаханов М.А.
Новый механизм проявления эффекта Гуддена-Поля в люминофоре Zn0.97Cd0.03S
The new mechanism of the Gudden-Pol effect manifestation in the phosphor Zn0.97Cd0.03S
УДК: |
УДК 535.37, 628.9.038 |
Аннотация: |
В структуре металл-диэлектрик-люминофор-металл с порошкообразным люминофором Zn0,97Cd0,03S<Сu,Сl> установлен принципиально новый механизм стимуляции люминесценции электрическим полем (эффект Гуддена-Поля). Стимуляция электролюминесценции, наблюдаемая при последовательном возбуждении структуры светом и электрическим полем, является следствием термической ионизации, облегченной электромодуляцией эффективного сечения захвата электронной ловушки с уровнем Ес - 0.18 эВ. |
Ключевые слова: |
электронная ловушка, стимуляция люминесценции электрическим полем, эффективное сечение захвата |
Abstracts: |
In structure metal-dielectric-phosphor-metal with powdery phosphor Zn0,97Cd0,03S<Сu, Сl> is established essentially new mechanism of stimulation of a luminescence by electric field (effect of the Guddena-Polya). The stimulation of an electroluminescence observed at consecutive excitation of structure by light and electric field, a consequence of the thermal ionization facilitated by electromodulation of effective section of capture, an electronic trap with level Ес - 0.18 eV. |
Keywords: |
an electronic trap, stimulation of a luminescence by electric field, effective section of capture |
Авторы статьи:
ЗОБОВ Евгений Маратович zem_07@mail.ru |
доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник Института физики ДНЦ РАН |
ЗОБОВ Марат Евгеньевич |
кандидат физико-математических наук, научный сотрудник Института физики ДНЦ РАН |
РИЗАХАНОВ Магомед Ахмедович natriz12@mail.ru |
доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник Института физики ДНЦ РАН |
Список литературы:
1. |
Ризаханов М.А. Структура и параметры глубоких центров прилипания и рекомбинации в полупроводниках // Автореферат дисс. док. физ.мат.наук, Вильнюсский госуниверситет, Вильнюс, 1982. |
2. |
Ризаханов М.А., Габибов Ф.С. и др. Об одной причине низких сечений захвата носителей заряда центров прилипания и невоспроизводимости термоактивационных спектров в полупроводниках // ВИНИТИ, деп., №7781- 84, Москва, 1984. |
3. |
Зобов Е.М., Ризаханов М.А. ФТП, 35, № 2, 171 (2001). |
4. |
Зобов Е.М., Зобов М.Е., Камалудинова Х.Э, Ризаханов М.А. ЖПС, 72, №2, 202, (2005) |
5. |
Георгобиани А.Н., Пипинис П.А. Туннельные явления в люминесценции полупроводников. М.: Мир. 220 С. (1994). |
6. |
Антонов-Романовский В.В. Изв. АН СССР. Сер. Физ., 10, №5-6, 477 (1946) и Garlic G.F.T., Gibson A.F. Proc. Phys. Soc. A60, №342, 574 (1948). |
7. |
Ризаханов М,А. Изв.вузов. Физика. №1, 153 (1971). |
8. |
Ризаханов М.А., Зобов Е.М., Хамидов М.М. ФТП, 38, № 1, 49 (2004). |
9. |
Физика и химия соединений АII ВVI, пер. с анг. под. ред. С. Медведева, М., «Мир», 1970. |
10. |
Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М., «Наука», 1974. |
11. |
Джоншер А.К., Хилл Р.М. Сб. Физика тонких пленок, том 8, М.,«Мир»,1978 (пер. с анг. Physics of thin films, vol. 8, Acad. Pres; New York, 1975). |
12. |
Dussl G.A., Bule R.H. Furn. Appl. Plujs., 37, 2797, (1966). |
|
|