Центр сопряженного мониторинга окружающей среды и природных ресурсов
«Мониторинг. Наука и технологии» Рецензируемый и реферируемый научно-технический журнал
Меню раздела «МНТ»
ГЛАВНАЯ
цели и задачи
Перечень ВАК
ВЫПУСКИ
2020
выпуск №1
выпуск №2
статья #01
статья #02
статья #03
статья #04
статья #05
статья #06
статья #07
статья #08
статья #09
статья #10
статья #11
статья #12
статья #13
статья #14
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
все выпуски
АВТОРАМ
этика
порядок рецензирования
правила для авторов
ПОДПИСКА
О ЖУРНАЛЕ
главный редактор
редакционный совет
редакционная коллегия
документы
свидетельство
issn
ENG
Меню разделов
ГЛАВНАЯ
Раздел: «ЦЕНТР»
Раздел: «МНТ»
Раздел: «СБОРНИК»
Раздел: «MST»

Гусейнов М.К., Темиров А.Т., Магомедов М.А., Курбанова А.М.
Исследование элементного состава и морфологии пленок твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x
Investigation of the elemental composition and morphology of films of solid solutions (SiC)1-x(AlN)x
УДК:
621.315.592
Аннотация:
Экспериментально исследован элементный состав пленок твердых растворов на основе карбида кремния и нитрида алюминия. Показано, что распределение AlN по поверхности и объему образцов (SiC)1-x(AlN)x в пределах погрешности микроанализатора носит однородный характер. Установлено влияние температуры осаждения на морфологию пленок (SiC)1-х(AlN)x и на их структуру. Показано, что путем изменения температуры подложки можно выращивать пленки с различной кристаллической структурой. Определена оптимальная температура выращивания монокристаллических пленок твердых растворов(SiC)1-x(AlN)x методом магнетронного осаждения.
Ключевые
слова:
карбид кремния, твердые растворы карбида кремния с нитридом алюминия (SiC)1-x(AlN)x, магнетронное осаждение пленок, монокристаллы
Abstracts:
The elemental composition of films of solid solutions based on silicon carbide and aluminum nitride was experimentally studied. The distribution of AlN over the surface and volume of (SiC)1-x(AlN)x samples is shown to be homogeneous within the microanalyzer error. The influence of the sedimentation temperature on the morphology of (SiC)1-x(AlN)x films and on their structure is established. It was shown that films with different crystal structures can be grown by varying the temperature of the substrate. The optimum temperature have been determined for growing the single-crystal films of (SiC)1-x(AlN)x solid solutions by magnetron deposition.
Keywords:
silicon carbide, solid solutions of silicon carbide with aluminum nitride (SiC)1-x(AlN)x, magnetron sedimentation of films, single crystals

Текст статьи Текст статьи
666,5 кБ
Скачать

вернуться к списку статей

Авторы статьи:
ГУСЕЙНОВ
Марат Керимханович
m_guseynov@mail.ru
кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физики ФГБОУ ВО «Дагестанский государственный технический университет»
ТЕМИРОВ
Алибулат Темирбекович
кандидат физико-математических наук, декан факультета радиоэлектроники, телекоммуникаций и мультимедийных технологий ФГБОУ ВО «Дагестанский государственный технический университет»
МАГОМЕДОВ
Магомед Абакарович
кандидат физико-математических наук, доцент, заведующий кафедрой биофизики, информатики и медаппаратуры, ФГБОУ ВО «ДГМУ Минздрава России»
КУРБАНОВА
Анжелла Магомедовна
кандидат физико-математических наук, доцент кафедры биофизики, информатики и медаппаратуры, ФГБОУ ВО «ДГМУ Минздрава России»
Список литературы:
1.
Сафаралиев Г.К. Закономерности формирования и физические свойства полупроводниковых твердых растворов на основе карбида кремния. Докт. диссертация. Баку. 1988.
2.
Гусейнов М.К., Курбанов М.К., Билалов Б.А., Сафаралиев Г.К. Магнетронное осаждение тонких пленок твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. Вып. 6. С. 841-844.
3.
Нурмагомедов Ш.А., Сафаралиев Г.К., Пихтин А.Н., Разбегаев В.Н., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Получение и исследования эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 17. С. 1043-1045.
4.
Дмитриев В.А., Ефимов И.Ю., Челноков В.Е., Чернов М.А. и др. Твердые растворы SiC-AlN, выращенных методом бесконтейнерной жидкофазной эпитаксии // Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. В. 6. С. 50-53.
5.
Сафаралиев Г.К., Офицерова Н.В., Курбанов М.К., Таиров Ю.М. Влияние параметров роста на электропроводность твердыхрастворов (SiC)1-x(AlN)x // Изв. РАН. Неорганические материалы. 1995. Т. 6. С. 1-4.
6.
Курбанов М.К., Билалов Б.А., Сафаралиев Г.К., Нурмагомедов Ш.А. Исследование гетероструктур (SiC)1-x(AlN)x методом вольт-фарадных характеристик // ФТП. 2001. Т. 35. В. 2. С. 216-218.
7.
Сафаралиев Г.К., Суханек Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Критерии образования твердых растворов на основе карбида кремния // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1986. Т. 22. В. 11. С. 1839-1841.
 
МНТ Выпуски 2020 Выпуск №2 Статья #10
© ООО «ЦСМОСиПР», 2020
Все права защищены
Яндекс.Метрика
  +7(926) 067-59-67
  +7(963) 406-99-55