Центр сопряженного мониторинга окружающей среды и природных ресурсов
«Мониторинг. Наука и технологии» Рецензируемый и реферируемый научно-технический журнал
Меню раздела «МНТ»
ГЛАВНАЯ
цели и задачи
Перечень ВАК
ВЫПУСКИ
2020
выпуск №1
выпуск №2
выпуск №3
статья #01
статья #02
статья #03
статья #04
статья #05
статья #06
статья #07
статья #08
статья #10
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
все выпуски
АВТОРАМ
этика
порядок рецензирования
правила для авторов
ПОДПИСКА
О ЖУРНАЛЕ
главный редактор
редакционный совет
редакционная коллегия
документы
свидетельство
issn
ENG
Меню разделов
ГЛАВНАЯ
Раздел: «ЦЕНТР»
Раздел: «МНТ»
Раздел: «СБОРНИК»
Раздел: «MST»

Гусейнов М.К., Темиров А.Т., Магомедов М.А., Курбанова А.М.
Исследование кристаллической структуры пленок растворов (SiC)1-x(AlN)x, выращенных методом магнетронного распыления
Investigation of the crystal structure of (SiC)1-x(AlN)x films grown by magnetron sputtering
УДК:
621.315.592
Аннотация:
Рентгенодифракционными исследованиями установлено, что пленки (SiC)1-x(AlN)x, полученные на подложках карбида кремния методом магнетронного распыления при температуре Т~1300К, являются монокристаллическими. По рентгеновским кривым качания показано, что структурное совершенство этих пленок при х≥0.3 сравнимо со структурным совершенством подложки карбида кремния. По рентгеновским дифрактограммам рассчитан параметр решетки С монокристаллических пленок (SiC)1-x(AlN)x. Установлено, что с увеличением содержания AlN параметр С уменьшается по линейному закону.
Ключевые
слова:
карбид кремния, твердые растворы карбида кремния с нитридом алюминия (SiC)1-x(AlN)x, магнетронное осаждение пленок, кристаллическая структура твердых растворов
Abstracts:
X-ray diffraction studies showed that (SiC)1-x(AlN)x films obtained on silicon carbide substrates by magnetron sputtering at a temperature T~1300 K are single-crystal ones. According to the X-ray rocking curves, it was shown that the structural perfection of these films at x≥0.3 is comparable with the structural perfection of a silicon carbide substrate. Using the X-ray diffraction patterns, the lattice parameter was calculated for the single-crystal (SiC)1-x(AlN)x films. It was found that with an increase in AlN content, parameter С decreases with a linear law.
Keywords:
silicon carbide, solid solutions of silicon carbide with aluminum nitride (SiC)1-x(AlN)x, magnetron sedimentation of films, single crystals

Текст статьи Текст статьи
555,5 кБ
Скачать

вернуться к списку статей

Авторы статьи:
ГУСЕЙНОВ
Марат Керимханович
m_guseynov@mail.ru
кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физики ФГБОУ ВО «Дагестанский государственный технический университет»
ТЕМИРОВ
Алибулат Темирбекович
кандидат физико-математических наук, декан факультета радиоэлектроники, телекоммуникаций и мультимедийных технологий ФГБОУ ВО «Дагестанский государственный технический университет»
МАГОМЕДОВ
Магомед Абакарович
кандидат физико-математических наук, доцент, заведующий кафедрой биофизики, информатики и медаппаратуры, ФГБОУ ВО «ДГМУ Минздрава России»
КУРБАНОВА
Анжелла Магомедовна
кандидат физико-математических наук, доцент кафедры биофизики, информатики и медаппаратуры, ФГБОУ ВО «ДГМУ Минздрава России»
Список литературы:
1.
Гусейнов М.К., Курбанов М.К., Билалов Б.А., Сафаралиев Г.К. Магнетронное осаждение тонких пленок твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. Вып. 6. С. 841-844.
2.
Дмитриев В.А., Ефимов И.Ю., Челноков В.Е., Чернов М.А. и др. Твердые растворы SiC-AlN, выращенных методом бесконтейнерной жидкофазной эпитаксии // Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. Вып. 6. С. 50-53.
3.
Сафаралиев Г.К., Офицерова Н.В., Курбанов М.К., Таиров Ю.М., Влияние параметров роста на электропроводность твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x // Изв. РАН. Неорганические материалы. 1995. Т. 6. С. 1-4.
4.
Cutler I.B., Miller P.D. Solid solution and process for production a solid solution. US pat. 4141740. Feb. 27. 1979.
5.
Rafaniello W., Cho K., Virkar A.V. Fabrication and chracterization of SiC-AlN alloys. J. Mater. Sci. 1981. V. 16. No. 12. Pp. 3470-3488.
6.
Ruh R. and Zangvil A. Composition and propetiesof hot-pressed SiC-AlN solid solutions. J. Am. Ceram. Soc. 1982. V. 65. No. 2. Pp. 260-265.
7.
Zangvil A., Ruh R. Phase relatiohoships in the silicon carbide-aluminum nitride system. J. Amer. Ceram. Soc. 1988. V. 71. No. 10. Pp. 884-890.
8.
Czekaj C.L., Hackeney M.L.J., Hurley W. J., Jr., Interrante L.V., Sidel G.A., Scheilds P.J., Slack G.A. Preparation of silicon carbide / aluminum nitride ceramics using organometallic precursors. J. Am. Ceram. Soc. 1990. V. 73. No. 2. Pp. 352-357.
 
МНТ Выпуски 2020 Выпуск №3 Статья #06
© ООО «ЦСМОСиПР», 2020
Все права защищены
Яндекс.Метрика
  +7(926) 067-59-67
  +7(963) 406-99-55