538.975

Соединения, образующиеся в системе SiC-AlN, отличаются от традиционных полупроводников большей стойкостью к механическому и радиационному воздействиям. В них путем изменения состава возможно в широких пределах управлять оптическими, электрическими и структурными свойствами. Поэтому исследования, направленные на изучение механизма формирования новых широкозонных полупроводниковых твердых растворов на основе SiC и AlN, а также зависимости электрических, оптических, механических свойств, структуры и морфологии от методов их получения, имеют важное практическое значение. В работе приведены результаты получения и исследования тонких пленок на основе твердых растворов (SiC)_1-x(AlN)_x. Получение эпитаксиальных слоев этих материалов проводили методом магнетронного и ВЧ-магнетронного распыления. Полученные пленки (SiC)_1-x(AlN)_x исследовались рентгенодифракционным методом (XRD). Замечено, что в исследованных образцах структура твердого раствора (SiC)_1-x(AlN)_x при составе x=0.21 имеет меньшую кристалличность, чем при составе х=0.64.

The compounds formed in the SiC-AlN system differ from traditional semiconductors in their greater resistance to mechanical and radiation impacts. By changing their composition, one can control optical, electrical and structural properties over a wide range. Therefore, studying the mechanism of forming new wide-gap semiconductor solid solutions based on SiC and AlN, as well as investigation of dependence of electrical, optical, mechanical properties, structure and morphology on the methods of their production is of practical importance. The paper presents the results of the preparation and study of thin films based on solid solutions (SiC)_1-x(AlN)_x. The epitaxial layers of these materials were obtained by the method of magnetron and HF magnetron sputtering. The obtained films (SiC)_1-x(AlN)_x were studied by the X-ray diffraction method (XRD). It is shown that the structure of the solid solution (SiC)_1-x(AlN)_x with a composition x=0.21 has a lower crystallinity than with a composition x=0.64.

кандидат физико-математических наук, доцент, Дагестанский государственный университет

доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН, профессор, Дагестанский государственный университет

аспирант, Дагестанский государственный технический университет

аспирант, Дагестанский государственный технический университет

Билалов Б.А., Сафаралиев Г.К., Кардашова Г.Д., Азизова Г.А., Архипов А.В., Ахмедов Р.Р., Магомедова З.С., Магомедова Д.К. Механизмы роста и морфология эпитаксиальных пленок (SiC)_1-x(AlN)_x полученных методом магнетронного распыления // Международная молодежная научная конференция «Математическая физика и ее приложения» (МФП-2012). Пятигорск. 2012. Т. 4. С. 53-55.

Нурмагомедов Ш.А., Сафаралиев Г.К., Пихтин А.Н., Разбегаев В.Н., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Получение и исследования эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов (SiC)_1-x(AlN)_x // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 17. С. 1043-1045.

Захвалинский B.C., Пилюк Е.А., Иванчихин С.В., Погребняк М.А. Оптические свойства пленок SiC, SiC0. 7n0. 3, Si3N4 полученных методом магнетронного напыления // Прикладная математика & Физика. 2013. №26. 124.

Fraga M.A., Bosi M., Negri M. Silicon Carbide in Microsystem Technology - Thin Film Versus Bulk Material. In Advanced Silicon Carbide Devices and Processing, 1st ed.; Saddow S., la Via F., Eds. In Tech: Rijeka. Croatia. 2015. Pp. 1-31.

Maboudian R., Carraro C., Senesky D.G., Roper C.S. Advances in silicon carbide science and technology at the micro- and nanoscales. J. Vac. Sci. Technol. A 2013. 31. 050805.

Ledermann N., Baborowski J., Muralt P., Xantopoulos N., Tellenbach J. Sputtered silicon carbide thin films as protective coating for MEMS applications. Surf. Coat. Technol. 2000. 125. Pp. 246-250.

Fraga Massachusetts, Pessoa RS, Maciel HS, Massey M. Recent Developments of Silicon Carbide Thin Films for Piezoresistive Sensors. In silicon carbide - materials, processing and applications in electronic devices. Mukherjee M., Ed. In Tech: Rijeka. Croatia. 2011. Pp. 369-388.

Gou L., Qi S., Ran J., Zheng K. SiC Film Deposition by DC Magnetron Sputtering. Thin hard film. 1999. 345. Pp. 42-44.

Anders A. Pulsed magnetron sputtering and related discharges: scalable plasma sources for plasma ion implantation and deposition. Surf. Coat. Technol. 2010. 204. Pp. 2864-2868.

Б.А.Билалов, Г.К.Сафаралиев, Г.Д.Кардашова, М.А.Гитикчиев, А.С.Ахмедов, Т.Э.Абдуллаев. Ионно-лучевое азотирование поверхности сапфира для формирования наноразмерных слоев нитрида алюминия // «Электровакуумная техника и технология». Труды международного постоянно-действующего семинара. Под редакцией руководителя Семинара А.В. Горина. М.: НОВЕЛЛА. 2018. С. 56-58.