538.9

Целью работы является раздельное детектирование и исследование α-, β₁ и β₂-ловушек с прямо противоположными кинетическими свойствами. Методами фотостимулированных и термостимулированных токов раздельно детектированы и исследованы α, β₁, β₂-ловушки, отличающиеся друг от друга кинетическими свойствами. Многоуровневые медленные (β₂-) электронные ловушки E_c-(0.1-1.56) эВ и E_с-(0.08-0.55) эВ в ZnSe и CdS<Ag> соответственно не взаимодействуют с электромагнитным излучением, регистрируются лишь методом термостимулированных токов. Две одноуровневые α-ловушки E_с-0.21 эВ, E_c-0.43 эВ в CdS<Ag>, β₁-ловушка E_c-0.22 эВ в ZnSe, наоборот, оптически активны и ответственны за фотостимулированные спектры. Исследования β₂-ловушек фотостимулированными методами, α-ловушек-методами термостимулированной спектроскопии одинаково осложнены: первые фотоэлектрически неактивны, вторые формируют фон многократных процессов, на котором протекают различные неравновесные процессы, в том числе и термоопустошение медленных β₂-ловушек. β₁-ловушка E_c-0.22 эВ в ZnSe одинаково хорошо регистрируется методами как фото-, так и термостимулированной спектроскопии.

The aim of this work is the separate detection and investigation of α-, β₁ and β₂-traps with directly opposite kinetic properties. Electronic α, β₁ and β₂-traps have been separately detected and investigated by methods ofphotostimulated and thermostimulated currents. Multilevel slow (β₂-) electronic traps E_c-(0.1-1.56) eV and E_с-(0.08-0.55) eV in ZnSe and CdS<Ag> respectively do not interact with electromagnetic radiation, and they are registered only by the method of thermally stimulated currents. Two single-level α-traps E_с-0.21 eV, E_c-0.43 eV in CdS<Ag>, β₁-trap E_c-0.22 eV in ZnSe, on the contrary, are optically active and responsible for photostimulated spectra. Studies of the β₂-traps by photostimulated methodsand α-traps by methods of thermally stimulated spectroscopy are equally complicated: the first ones are photoelectricallyinactive, the second traps form a background of multiple processes against which various non-equilibrium processes occur, including thermo-emptying of slow β₂-traps.The electron β₁-trap E_c-0.22 eV in ZnSe is equally well registered by methods of both photo-and thermally stimulated spectroscopy.

доктор физико-математических наук, профессор кафедры биофизики, информатики и медаппаратуры, Дагестанский государственный медицинский университет

кандидат педагогических наук, доцент кафедры биофизики, информатики и медаппаратуры, Дагестанский государственный медицинский университет

кандидат педагогических наук, ассистент кафедры биофизики, информатики и медаппаратуры, Дагестанский государственный медицинский университет

ассистент кафедры биофизики, информатики и медаппаратуры, Дагестанский государственный медицинский университет

Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М. Физматгиз. 1963. 496 с.

Braunlich P. Thermoluminescence and thermally stimulated current-tools for determination of trapping parameters. Thermoluminescence of geological materials (ed. D. Medougall) Acad. Press, London, New York, 1968 (рус.пер.: Физика минералов (сер. Науки о Земле). М. «Мир». 1971. С. 134).

Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Фотоэлектрически активные и неактивные электронные ловушки в ZnSe // Физика и техника полупроводников. 1993. 27. №5. С. 721-726.

Ризаханов М.А., Зобов Е.М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувствленного CdSе // Физика и техника полупроводников. 1980. Т. 14. №12. С. 2407-2410.

Ризаханов М.А., Габибов Ф.С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS // Физика и техника полупроводников. 1979. Т. 13. №7. С. 1324-1328.

Зобов Е.М., Ризаханов М.А. Инжекционное очувствление симметричных МПМ структур на основе CdSe в среднем диапазоне ИК света // Физика и техника полупроводников. 1989. Т. 23. №7. С. 1291-1293.

Ризаханов М.А. Вакансионно-примесная модель электронных центров Ec-(0.14-0.55) эВ в халькогенидах кадмия, наблюдаемых термоактивационными методами // Физика и техника полупроводников. 1982. Т. 16. №4. С. 759.

Ризаханов М.А., Магомедов М.А., Курбанова А.М. Неорганические материалы. 2017. Т. 53. №1. С. 9-12.

Ризаханов М.А. Об одной возможности определения сечения захвата электронов центрами прилипания // Известия вузов. Физика. 1971. №1. С. 193-195.

Ризаханов М.А., Зобов Е.М., Хамидов М.М. Структурно-сложные двухдырочные и двухэлектронные ловушки с бикинетическими свойствами в кристаллах p-ZnTe, n-ZnS // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. №1. С. 49-55.

Зобов Е.М., Зобов М.Е., Камалутдинова Х.Е., Ризаханов М.А. Электронные ловушки с распределенным сечением захвата электрона в люминофорных порошках на основе ZnS // Журнал прикладная спектроскопия. 2005. Т. 72. №2. С. 202-206.